Samsung a commencé à développer ce ça dit est la première puce de stockage Universal Flash Storage (eUFS) intégrée d'un téraoctet, alimentée par la V-NAND de cinquième génération de la société.
La plupart des téléphones Android incluent un emplacement microSD qui permet aux propriétaires de mettre à niveau la capacité interne de leur appareil, mais la nouvelle puce de 1 To offrira des niveaux de capacité de stockage comparables à ceux des ordinateurs portables sans avoir besoin de cartes mémoire supplémentaires, selon Samsung.
« L'eUFS de 1 To devrait jouer un rôle essentiel en apportant une expérience utilisateur plus proche de celle d'un ordinateur portable à la prochaine génération d'appareils mobiles », a déclaré Cheol Choi, vice-président exécutif des ventes et du marketing de mémoire chez Samsung Electronics.
'De plus, Samsung s'engage à assurer la chaîne d'approvisionnement la plus fiable et des quantités de production adéquates pour soutenir les lancements en temps opportun des prochains smartphones phares en accélérant la croissance du marché mobile mondial.'
En plus de fournir une capacité plus élevée, la technologie eUFS est également conçue pour être plus rapide que le stockage à semi-conducteurs standard et les cartes microSD, offrant une vitesse de lecture séquentielle de 1 000 Mo/s et une vitesse de lecture aléatoire de 58 000 IOPS, malgré la même taille de boîtier. que les puces flash de 512 Go de la société.
Samsung affirme que les vitesses aléatoires permettent une prise de vue en continu à grande vitesse à 960 images par seconde et permettront aux utilisateurs de smartphones de tirer pleinement parti des capacités multi-caméras des modèles phares d'aujourd'hui et de demain.
Samsung a commencé à produire en masse ses puces de stockage de 512 Go en décembre 2017 et a dévoilé la technologie dans ses nouveaux téléphones phares l'année suivante. En supposant un déploiement similaire, le prochain Galaxy S10 de Samsung sera probablement doté d'une option de capacité de stockage de 1 To, grâce à la nouvelle technologie eUFS de la société.
Pendant ce temps, Samsung prévoit d'étendre la production de sa cinquième génération de V-NAND de 512 Go dans son usine de Pyeongtaek en Corée au cours du premier semestre 2019 afin de répondre à la forte demande prévue pour l'eUFS de 1 To de la part des fabricants d'appareils mobiles du monde entier.
En tant que leader des solutions de mémoire de type NAND, Samsung fournit à Apple des puces de mémoire flash depuis 2017. Bien que ce développement semble le plus susceptible d'affecter les mémoires utilisées dans le futur d'Apple. iPhone et iPad produits, la mémoire de Samsung pourrait éventuellement apparaître dans les futurs Mac, qui sont devenus fortement dépendants du stockage flash.
Apple 2018 iPad Pro modèles sont disponibles avec 1 To de stockage, la capacité la plus élevée offerte dans un iPhone ou iPad à ce jour.
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